描述：
LN8361 是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8361 内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。
LN8361 内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。
LN8361 采用SOP8/ESOP8等封装形式，给方案设计带来更多的选择。
特征：
电源VCC工作范围：4V~15V
BST最高电压：60V
内置自举二极管
固定死区时间
兼容3.3V/5V/15V输入信号
UVLO时EN端输出低电平
内建死区自适应功能来防止FET交叉导通
EN端可同时关断上下两个MOSFET
VCC，BST欠压保护功能
绿色环保无卤，满足ROHS标准
应用：
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电子烟、无线充MOSFET驱动器
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